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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
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整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
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MOSFET
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小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管
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汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 2021年來PV逆變器市場進(jìn)入高速發(fā)展期，對碳化硅功率器件的需求迅速增大。碳化硅二極管和MOSFET應(yīng)用在諸如BOOST電路等應(yīng)用中，因為第三代半導(dǎo)體材料帶來的高頻特性，可以提高系統(tǒng)的開關(guān)頻率，從而可以優(yōu)化整個系統(tǒng)的能耗和體積。我司碳化硅 MOSFET為匹配PV、EV行業(yè)客戶需求，開關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對標(biāo)行業(yè)最佳；不僅適用于常規(guī)開關(guān)應(yīng)用，還滿足控制要求高的高壓高速開關(guān)應(yīng)用，采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品特點 1、耐高溫特性，工作溫度（150°C)；單極性器件,開關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應(yīng)用條件
2、采用先進(jìn)的減薄工藝，使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性，減小器件能量損耗
3、TO247AB，TO247-4L等多種封裝形式可選
4、通過行業(yè)嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證，包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試

規(guī)格書

YJD212040NCFG1 YJD212040NCTG1

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